В накопителе SZ985 Z-SSD используются Z-NAND чипы, которые в десять раз шустрее микросхем V-NAND (3-бит). Производитель заявляет, что на «случайном чтении» новый диск в 1,7 раз быстрее, чем NVMe SSD PM963. Перед нами достойный конкурент SSD 900P от Intel.
Показатель DWPD у Samsung SZ985 Z-SSD — 30 единиц, именно столько раз можно полностью перезаписать указанный диск в течение одного дня. В столь плотном режиме новинка способна работать на протяжении 5 лет (безотказный итог — 42 Пбайт).
Samsung Z-SSD будет представлен на мероприятии ISSCC 2018 (оно пройдет с 11-15 февраля в Сан-Франциско) в двух версиях: на 240 и 800 Гбайт.
