Samsung смогла резко улучшить позиции на рынке высокоскоростной памяти HBM, обогнав Micron по квартальной доле и вновь став одним из ключевых игроков в сегменте решений для ИИ. После нескольких слабых кварталов компания добилась заметного прогресса благодаря внутренним изменениям в разработке и производстве.
Начало 2025 года для Samsung в HBM-направлении оказалось неудачным. Компания долгое время не могла получить сертификацию HBM3 у крупных партнёров, включая NVIDIA, что выглядело неожиданно на фоне её огромных мощностей по выпуску DRAM. Однако ситуация изменилась во втором квартале, когда стало известно, что AMD начала использовать HBM3E-память Samsung в своих решениях.
Укрепление позиций продолжилось в третьем квартале 2025 года. По данным Counterpoint Research, на которые ссылается Chosun Biz, доля Samsung на рынке HBM достигла 22%, превысив показатели Micron, хотя компания всё ещё уступает лидеру сегмента — SK Hynix. Годом ранее доля Samsung оценивалась примерно в 40%, что подчёркивает масштаб прежнего спада и значимость текущего восстановления.
Дополнительным фактором успеха стало привлечение NVIDIA: в третьем квартале появились сообщения о том, что Samsung стала поставщиком HBM3E и памяти следующего поколения HBM4 для будущих решений компании. Это серьёзно укрепило позиции корейского производителя в экосистеме ИИ-ускорителей.
Аналитики отмечают, что рынок DRAM и HBM развивается настолько быстро, что даже совокупных мощностей Samsung, SK Hynix и Micron всё ещё недостаточно для удовлетворения спроса.
При этом именно в сегменте HBM Samsung выглядит всё более конкурентоспособной: компания готовит HBM4-модули с одними из самых высоких скоростей передачи данных на рынке и планирует предлагать более агрессивные контрактные цены.
Источник: wccftech
