Компания Samsung разработала новую технологию 3D Charge Trap Flash и теперь начала выпуск флэш-памяти 3D V-NAND. Ячейки образовывают 24 слоя, это позволяет добиться увеличения плотности по сравнению с памятью, изготовленной по технологии 20 нм, в два раза. Первые выпущенные чипы имеют емкость 128 Гбайт.
Есть и ряд других преимуществ. Долговечность новых устройств значительно превосходит показатели микросхем флеш-памяти, изготовленной по 10 нм технологии с использованием плавающих затворов.
Новые микросхемы стали результатом десятилетней исследовательской работы, защищенной более чем 300 патентами.
