Samsung Electronics сообщила о начале выпуска микросхем памяти DDR4 на основе 20 нм технологической нормы. Компания сообщила о том, что на основе новых микросхем уже разработаны модули памяти SDRAM емкостью 16 и 32 Гбайт. Это в два раза больше емкости самых распространенных на сегодня модулей ОЗУ на 8 Гбайт, производящихся по 30 нм техпроцессу.
Использование DDR4 в перспективе повысит производительность дата-центров и позволит сократить затраты на электроэнергию, так как новые чипы потребляют на 30% меньше энергии при повышении скорости передачи данных и увеличении емкости.