Компания Samsung Electronics сообщила о начале массового производства чипов памяти на 4 Гбит по технологии 20 нм.
Для этого на производстве корейской компании были освоены технологии атомно-слоевого осаждения и использования двойного шаблона. Освоение этих технологий позволяет в перспективе перейти на 10 нм техпроцесс.
Эффективность производства новых чипов на 30 % выше, чем для DDR3 по 25 нм техпроцессу и в два раза лучше, если сравнивать с производством данных микросхем по 30 нм техпроцессу.
