Samsung анонсировала возрождение своей технологии Z-NAND — высокопроизводительной флеш-памяти, которая обещает значительный прирост производительности и снижение энергопотребления для задач искусственного интеллекта.
Компания заявляет, что новая Z-NAND способна обеспечивать до 15 раз более высокую производительность по сравнению с обычной NAND, при этом снижая энергозатраты примерно на 80%.
Особенность решения — новая архитектура, позволяющая графическим процессорам и AI-ускорителям напрямую обращаться к Z-NAND, что напоминает концепцию DirectStorage. Однако пока заявления Samsung вызывают вопросы: компания не опубликовала подробных бенчмарков и точных критериев измерения производительности.
Схожие технологии (например, Intel 3D XPoint) в итоге были свернуты из-за сложностей с ценообразованием и распространением. Конкуренты, такие как Kioxia, сосредоточены на развитии XL-FLASH с высоким IOPS, а отраслевые группы работают над High Bandwidth Flash для увеличения пропускной способности.
Если Samsung удастся воплотить все обещания в жизнь, Z-NAND может стать востребованной технологией в инфраструктуре для AI, но пока многое зависит от реальных результатов, а не только от маркетинговых заявлений.
Источник: TechPowerUp
