Сб. 4 Дек, 2021

Micron

Компания SK Hynix подтвердила в финансовом отчете за 2 квартал 2021 года, что в ближайшие месяцы начнет массовое производство памяти DDR5. Она предназначена для будущих платформ Intel и AMD. На рынок модули выйдут, очевидно, ближе к осени-зиме.
Вполне, если это ноутбук от фирмы Eurocom. В ее ассортименте есть две модификации (Sky X9C и Tornado F7W), которые оснащены тремя коннекторами M.2-2280 для установки твердотельных накопителей, и двумя посадочными местами для 2,5" HDD и SSD.
В Micron заявляют, что память DDR5 окажется быстрее DDR4 на 85%. О массовом производстве нового стандарта пока говорить рано, но компания уже начала рассылать рабочие экземпляры партнерам.
В этом году цена на SSD стремительно снижается, сейчас минимальная стоимость одного гигабайта достигла 10 центов. Например, за океаном 2 Тбайт Crucial MX500 реально найти за 209$.
Устройство не демонстрирует сверхвысоких линейных скоростей (чтение — 2000 Мбайт/с, запись — 1700 Мбайт/с), однако известно, что стоимость новых модификаций не окажется слишком высокой.
Самая младшая модификация Micron 5200 объемом 480 Гбайт (MTFDDAK480TDC-1AT16AB) передает данные на скорости 540 Мбайт/с (это максимум для линейного чтения), запись скромнее — 385 Мбайт/с.
Компания Crucial начала официальные поставки 128 Гбайт DDR4-2666 LRDIMM модулей серверного класса. Устройство адресовано пользователям ЦП AMD EPYC и Intel Xeon, в частности память оптимизирована для чипов Skylake-SP.
Первые доклады о новом типе памяти появились еще в 2012 году. Но ситуация с ним пока выглядит запутанной, так как Micron недавно утвердила стандарт GDDR5X, увеличивающий в 2 раза пропускную способность по сравнению с GDDR5.
Toshiba в настоящее время строит завод по производству новых микросхем в Японии и сообщает, что чипы на 256 Гбайт будут поставляться в 2016 году.
Новый чип не содержит традиционных транзисторов. Вместо этого материал используется в каждой ячейке памяти, меняя ее физические свойства, а именно электрическое сопротивление.
Micron M510DC построен на памяти NAND Micron, техпроцесс 16 нм. В накопителе применены технологии, обеспечивающие сохранность данных при внезапном отключении питания.
G18 NOR – самые быстрые чипы своего класса, они способны работать со скоростями 266 Мбайт/с, а LPDDR4 обладает пропускной способностью на 33% выше, чем DDR4.
На помощь может прийти перспективная архитектура HMC, разработанная Intel и Micron. Ожидается, что она обеспечит пропускную способность 400 Гбайт/с. Причем эта память может появиться в продаже уже в 2017 году.