На помощь может прийти перспективная архитектура HMC, разработанная Intel и Micron. Ожидается, что она обеспечит пропускную способность 400 Гбайт/с. Причем эта память может появиться в продаже уже в 2017 году.
Micron
Новинки отличаются большей скоростью, пропускной способностью и сниженным напряжением питания по сравнению со стандартом DDR3.
Две модели памяти DDR4 от Crucial
Share this:
Модули будут доступны в 1 квартале 2015 года в вариантах емкостью 4 и 8 Гбайт, а также в составе комплектов по 32 Гбайт.
Накопители обеспечивают скорость чтения и записи 555 и 500 Мбайт/с соответственно. Новинки обладают сроком службы в 5 раз больше, чем обычные SSD.
В новой модели использован контроллер Silicon Motion SM2246EN, демонстрирующий скорость чтения 560 Mбит/с и записи - 460 Mбит/с.
Micron уже анонсировала несколько новых продуктов, идеально подходящих для решений, которые будут использоваться в «Интернете вещей».
Micron Technology, Wave Systems, Lenovo и Megatrends создадут новые стандарты безопасности
Share this:
Комбинированное решение от объединивших свои усилия компаний позволит улучшить защиту на всех этапах жизни вычислительных устройств.
Финансовый директор компании, Рон Фостер, отметил, что бизнес Micron Technology генерирует мощные операционные денежные потоки, что позволяет вкладывать средства в стратегические инвестиции.
В спящем режиме накопитель потребляет всего 2 мВт, а во время активного использования - 150 мВт, что на порядок меньше, чем традиционные накопители в ноутбуках.
В линейку DDR3 Micron на сегодня входят модули на 8 Гбайт, а также RDIMM на 32 Гбайт, LRDIMM на 64 Гбайт, SODIMM на 32 Гбайт и UDIMM 16 Гбайт.
Модули DDR4 (4 Гбайт) обеспечат клиентам компании прирост в производительности и мощности, сообщил вице-президент Micron по маркетингу Robert Feurle.
Новые накопители построены на чипах флеш-памяти MLC NAND. Скорость записи накопителей увеличилась до 550 Мбит/с, а скорость чтения теперь составляет 500 Мбит/с.
Share this: