Первые чипы 3D NAND емкостью 256 Гбайт уже доступны для партнеров Micron, а через несколько месяцев будут доступны модели на 384 Гбайт.
Micron
G18 NOR – самые быстрые чипы своего класса, они способны работать со скоростями 266 Мбайт/с, а LPDDR4 обладает пропускной способностью на 33% выше, чем DDR4.
На помощь может прийти перспективная архитектура HMC, разработанная Intel и Micron. Ожидается, что она обеспечит пропускную способность 400 Гбайт/с. Причем эта память может появиться в продаже уже в 2017 году.
В прошлом году отмечался рост выручки от продажи DRAM на 31,7%, а в этом году рост составит только 7,7%.
Новинки отличаются большей скоростью, пропускной способностью и сниженным напряжением питания по сравнению со стандартом DDR3.
Модули будут доступны в 1 квартале 2015 года в вариантах емкостью 4 и 8 Гбайт, а также в составе комплектов по 32 Гбайт.
Накопители обеспечивают скорость чтения и записи 555 и 500 Мбайт/с соответственно. Новинки обладают сроком службы в 5 раз больше, чем обычные SSD.
В новой модели использован контроллер Silicon Motion SM2246EN, демонстрирующий скорость чтения 560 Mбит/с и записи - 460 Mбит/с.
Micron уже анонсировала несколько новых продуктов, идеально подходящих для решений, которые будут использоваться в «Интернете вещей».
Micron Technology, Wave Systems, Lenovo и Megatrends создадут новые стандарты безопасности
Share this:
Комбинированное решение от объединивших свои усилия компаний позволит улучшить защиту на всех этапах жизни вычислительных устройств.
Финансовый директор компании, Рон Фостер, отметил, что бизнес Micron Technology генерирует мощные операционные денежные потоки, что позволяет вкладывать средства в стратегические инвестиции.
В спящем режиме накопитель потребляет всего 2 мВт, а во время активного использования - 150 мВт, что на порядок меньше, чем традиционные накопители в ноутбуках.
В линейку DDR3 Micron на сегодня входят модули на 8 Гбайт, а также RDIMM на 32 Гбайт, LRDIMM на 64 Гбайт, SODIMM на 32 Гбайт и UDIMM 16 Гбайт.
Выпущенные модули имеют емкость 8 Гбайт, работают на частоте 2400 МГц, поддерживают двухканальную работу и Intel XMP.
Модули DDR4 (4 Гбайт) обеспечат клиентам компании прирост в производительности и мощности, сообщил вице-президент Micron по маркетингу Robert Feurle.
Новые накопители построены на чипах флеш-памяти MLC NAND. Скорость записи накопителей увеличилась до 550 Мбит/с, а скорость чтения теперь составляет 500 Мбит/с.
Новые MT25Q SPI NOR устройства являются экономичными и производительными решениями с самой высокой скоростью программирования, чтения и записи.
До этого Angell работал на аналогичной должности в компании NVIDIA.
Емкость устройства составляет 64 Гбайт, а скорость обработки – 90 Мбайт в секунду.
В докладе Доллер, имеющий 25-летний опыт работы над устройствами флэш-памяти, расскажет, как флэш-архитектура будет оставаться на переднем крае технологического прогресса в будущем.
Share this: